Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
39 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Série
MDmesh
Type de boîtier
TO-247
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
70 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
255 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Largeur
5.15mm
Charge de Grille type @ Vgs
124 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
15.75mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
20.15mm
Détails du produit
Canal N MDmesh™, 600 V / 650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 5,51
€ 5,51 Each (hors TVA)
Standard
1
€ 5,51
€ 5,51 Each (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
1
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 9 | € 5,51 |
| 10 - 24 | € 5,07 |
| 25 - 99 | € 4,85 |
| 100 - 249 | € 4,21 |
| 250+ | € 4,06 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
39 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Série
MDmesh
Type de boîtier
TO-247
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
70 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
255 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Largeur
5.15mm
Charge de Grille type @ Vgs
124 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
15.75mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
20.15mm
Détails du produit


