MOSFET STMicroelectronics canal Type N, TO-247 39 A Enrichissement 600 V, 3 broches STW48NM60N

N° de stock RS: 760-9796Marque: STMicroelectronicsN° de pièce Mfr: STW48NM60N
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Documents techniques

Spécifications

Brand

STMicroelectronics

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

39A

Tension Drain Source maximum Vds

600V

Type de Boitier

TO-247

Séries

MDmesh

Type de montage

Through Hole

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

70mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

255W

Tension maximale de source de la grille Vgs

25 V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

124nC

Tension directe Vf

1.6V

Température maximale d'utilisation

150°C

Largeur

5.15 mm

Hauteur

20.15mm

Longueur

15.75mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

No

Détails du produit

Canal N MDmesh™, 600 V / 650 V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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€ 5,53

€ 5,53 Each (hors TVA)

MOSFET STMicroelectronics canal Type N, TO-247 39 A Enrichissement 600 V, 3 broches STW48NM60N
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Production -

Disponible en multiples de 1.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

1

Disponible en multiples de 1
1€ 5,53
2€ 11,07
3€ 16,60
4€ 22,14
5€ 27,67
6€ 33,21
7€ 38,74
8€ 44,27
9€ 49,81
10€ 50,87
11€ 55,96
12€ 61,05
13€ 66,14
14€ 71,22
15€ 76,31

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QuantitéPrix unitaire
1 - 9€ 5,53
10 - 24€ 5,09
25 - 99€ 4,87
100 - 249€ 4,23
250+€ 4,08

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Séries

MDmesh

Type de montage

Through Hole

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

70mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

255W

Tension maximale de source de la grille Vgs

25 V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

124nC

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1.6V

Température maximale d'utilisation

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Largeur

5.15 mm

Hauteur

20.15mm

Longueur

15.75mm

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