Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
N
Courant continu de Drain maximum Id
33A
Tension Drain Source maximum Vds
650V
Type de Boitier
TO-247
Série
DM6
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
91mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
250W
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
52.5nC
Tension maximale de source de la grille Vgs
25V
Température d'utilisation maximum
175°C
Hauteur
20.15mm
Longueur
15.75mm
Normes/homologations
EN131 Professional
Largeur
5.15mm
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Le transistor MOSFET de puissance à canal N haute tension STMicroelectronics fait partie de la série de diodes à récupération rapide MDmesh DM6. Par rapport à la génération rapide MDmesh précédente, le DM6 combine une très faible charge de récupération (QRR), un temps de récupération (TRR) et une excellente amélioration du RDS(on) par zone avec l'un des comportements de commutation les plus efficaces disponibles sur le marché pour les topologies de pont à haut rendement les plus exigeantes et les convertisseurs à décalage de phase ZVS.
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Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 144,59
€ 4,82 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
30
€ 144,59
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30
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 30 - 120 | € 4,82 | € 144,58 |
| 150+ | € 4,652 | € 139,57 |
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Brand
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MOSFET
Type de canal
N
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650V
Type de Boitier
TO-247
Série
DM6
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
91mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
250W
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
52.5nC
Tension maximale de source de la grille Vgs
25V
Température d'utilisation maximum
175°C
Hauteur
20.15mm
Longueur
15.75mm
Normes/homologations
EN131 Professional
Largeur
5.15mm
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Le transistor MOSFET de puissance à canal N haute tension STMicroelectronics fait partie de la série de diodes à récupération rapide MDmesh DM6. Par rapport à la génération rapide MDmesh précédente, le DM6 combine une très faible charge de récupération (QRR), un temps de récupération (TRR) et une excellente amélioration du RDS(on) par zone avec l'un des comportements de commutation les plus efficaces disponibles sur le marché pour les topologies de pont à haut rendement les plus exigeantes et les convertisseurs à décalage de phase ZVS.
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