MOSFET STMicroelectronics canal N, A-247 50 A 600 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
50 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Type d'emballage
TO-247
Séries
MDmesh DM2
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
60 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
360 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Charge de Grille type @ Vgs
90 nC V @ 10
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
5.15mm
Longueur
15.75mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.6V
Taille
20.15mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Canal N MDmesh série DM2, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET MDmesh DM2 offrent un faible RDS(on), et avec l'amélioration du temps de recouvrement inverse de diode amélioré pour plus d'efficacité, cette série est optimisée pour les topologies ZVS à pont complet déphasé.
Capacité dV/dt élevée pour une meilleure fiabilité du système
Certifié AEC-Q101
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 215,36
€ 7,179 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
30
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N
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Séries
MDmesh DM2
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
60 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
360 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Charge de Grille type @ Vgs
90 nC V @ 10
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
5.15mm
Longueur
15.75mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.6V
Taille
20.15mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Canal N MDmesh série DM2, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET MDmesh DM2 offrent un faible RDS(on), et avec l'amélioration du temps de recouvrement inverse de diode amélioré pour plus d'efficacité, cette série est optimisée pour les topologies ZVS à pont complet déphasé.
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