MOSFET STMicroelectronics canal Type N, TO-247 52 A Enrichissement 650 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
52A
Tension Drain Source maximum Vds
650V
Type de Boitier
TO-247
Séries
MDmesh M2
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
55mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension directe Vf
1.6V
Dissipation de puissance maximum Pd
350W
Tension maximale de source de la grille Vgs
25 V
Charge de porte typique Qg @ Vgs
91nC
Température de fonctionnement maximale
150°C
Normes/homologations
No
Largeur
5.15 mm
Hauteur
20.15mm
Longueur
15.75mm
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Canal N MDmesh™ série M2, STMicroelectronics
Une gamme de transistors MOSFET haute tension de STMicroelecronics. Avec leur faible charge de grille et leurs excellentes capacités de sortie, les séries M2 MDmesh conviennent parfaitement à une utilisation dans les alimentations de type résonance à commutation (convertisseurs LLC).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 176,61
€ 5,887 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
30
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30
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 30 - 30 | € 5,887 | € 176,61 |
| 60+ | € 5,593 | € 167,78 |
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Séries
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Through Hole
Nombre de broches
3
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Mode de canal
Enrichissement
Tension directe Vf
1.6V
Dissipation de puissance maximum Pd
350W
Tension maximale de source de la grille Vgs
25 V
Charge de porte typique Qg @ Vgs
91nC
Température de fonctionnement maximale
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Normes/homologations
No
Largeur
5.15 mm
Hauteur
20.15mm
Longueur
15.75mm
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No
Pays d'origine
China
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Canal N MDmesh™ série M2, STMicroelectronics
Une gamme de transistors MOSFET haute tension de STMicroelecronics. Avec leur faible charge de grille et leurs excellentes capacités de sortie, les séries M2 MDmesh conviennent parfaitement à une utilisation dans les alimentations de type résonance à commutation (convertisseurs LLC).
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