MOSFET STMicroelectronics canal Type N, TO-247 52 A Enrichissement 650 V, 3 broches STW56N60M2
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
52A
Tension Drain Source maximum Vds
650V
Type de Boitier
TO-247
Séries
MDmesh M2
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
55mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
350W
Tension maximale de source de la grille Vgs
25 V
Charge de porte typique Qg @ Vgs
91nC
Tension directe Vf
1.6V
Température de fonctionnement maximum
150°C
Largeur
5.15 mm
Hauteur
20.15mm
Normes/homologations
No
Longueur
15.75mm
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Canal N MDmesh™ série M2, STMicroelectronics
Une gamme de transistors MOSFET haute tension de STMicroelecronics. Avec leur faible charge de grille et leurs excellentes capacités de sortie, les séries M2 MDmesh conviennent parfaitement à une utilisation dans les alimentations de type résonance à commutation (convertisseurs LLC).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 5,06
€ 5,06 Each (hors TVA)
Standard
1
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Dissipation de puissance maximum Pd
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Tension maximale de source de la grille Vgs
25 V
Charge de porte typique Qg @ Vgs
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Largeur
5.15 mm
Hauteur
20.15mm
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No
Longueur
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No
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Canal N MDmesh™ série M2, STMicroelectronics
Une gamme de transistors MOSFET haute tension de STMicroelecronics. Avec leur faible charge de grille et leurs excellentes capacités de sortie, les séries M2 MDmesh conviennent parfaitement à une utilisation dans les alimentations de type résonance à commutation (convertisseurs LLC).
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