MOSFET canal N STMicroelectronics 72 A 650 V, 4 broches, TO-247-4

Le MOSFET de puissance à canal N haute tension de STMicroelectronics fait partie de la série de diodes de récupération rapide Mesh DM6. Par rapport à la génération Mesh rapide précédente, le DM6 combine une très faible charge de récupération (Qrr), un temps de récupération (trr) et une excellente amélioration du RDS(on) par zone avec l'un des comportements de commutation les plus efficaces disponibles sur le marché pour les topologies de pont à haut rendement les plus exigeantes et les convertisseurs de décalage de phase ZVS.

• Conçu pour les applications automobiles
• Diode de corps à récupération rapide
• RDS(on) plus faible par zone par rapport à la génération précédente
• Faible charge de grille, capacité d'entrée et résistance
• 100 % testé contre les avalanches
• Robusteté dv/dt extrêmement élevée
• Excellentes performances de commutation grâce à la broche source d'entraînement supplémentaire
• Protégé par Zener