Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
N
Courant continu de Drain maximum Id
66A
Tension Drain Source maximum Vds
600V
Type de Boitier
TO-247
Série
MDmesh DM2
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
42mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
121nC
Dissipation de puissance maximum Pd
446W
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Tension maximale de source de la grille Vgs
-25, +25V
Tension directe Vf
1.3V
Température d'utilisation maximum
150°C
Longueur
15.75mm
Hauteur
20.15mm
Normes/homologations
EN131 Professional
Largeur
5.15mm
Standard automobile
No
Détails du produit
Les transistors MOSFET MDmesh DM2 offrent un faible RDS(on), et avec l'amélioration du temps de recouvrement inverse de diode amélioré pour plus d'efficacité, cette série est optimisée pour les topologies ZVS à pont complet déphasé.
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 82,45
€ 8,24 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
10
€ 82,45
€ 8,24 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Tube)
10
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 10 - 99 | € 8,24 |
| 100 - 1199 | € 8,14 |
| 1200+ | € 8,05 |
Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
N
Courant continu de Drain maximum Id
66A
Tension Drain Source maximum Vds
600V
Type de Boitier
TO-247
Série
MDmesh DM2
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
42mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
121nC
Dissipation de puissance maximum Pd
446W
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Tension maximale de source de la grille Vgs
-25, +25V
Tension directe Vf
1.3V
Température d'utilisation maximum
150°C
Longueur
15.75mm
Hauteur
20.15mm
Normes/homologations
EN131 Professional
Largeur
5.15mm
Standard automobile
No
Détails du produit
Les transistors MOSFET MDmesh DM2 offrent un faible RDS(on), et avec l'amélioration du temps de recouvrement inverse de diode amélioré pour plus d'efficacité, cette série est optimisée pour les topologies ZVS à pont complet déphasé.