MOSFET N STMicroelectronics 66 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-247 MDmesh DM2
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
66A
Tension Drain Source maximum Vds
600V
Type de Boitier
TO-247
Série
MDmesh DM2
Typ montáže
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
42mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
446W
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
121nC
Tension directe Vf
1.3V
Maximální provozní teplota
60°C
Höhe
20.15mm
Longueur
15.75mm
Normes/homologations
No
Automobilový standard
No
Détails du produit
Canal N MDmesh série DM2, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET MDmesh DM2 offrent un faible RDS(on), et avec l'amélioration du temps de recouvrement inverse de diode amélioré pour plus d'efficacité, cette série est optimisée pour les topologies ZVS à pont complet déphasé.
Capacité dV/dt élevée pour une meilleure fiabilité du système
Certifié AEC-Q101
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 9,60
€ 9,60 Each (hors TVA)
Standard
1
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Série
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Through Hole
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Résistance Drain Source maximum Rds
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Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
446W
Température minimum de fonctionnement
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Charge de porte typique Qg @ Vgs
121nC
Tension directe Vf
1.3V
Maximální provozní teplota
60°C
Höhe
20.15mm
Longueur
15.75mm
Normes/homologations
No
Automobilový standard
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Détails du produit
Canal N MDmesh série DM2, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET MDmesh DM2 offrent un faible RDS(on), et avec l'amélioration du temps de recouvrement inverse de diode amélioré pour plus d'efficacité, cette série est optimisée pour les topologies ZVS à pont complet déphasé.
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