Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
N
Courant continu de Drain maximum Id
68A
Tension Drain Source maximum Vds
650V
Série
ST
Type de Boitier
TO-247
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
0.036Ω
Mode de canal
Épuisement
Tension maximale de source de la grille Vgs
25V
Tension directe Vf
1.6V
Dissipation de puissance maximum Pd
450W
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
125nC
Température d'utilisation maximum
150°C
Longueur
15.9mm
Normes/homologations
No
Largeur
5.1mm
Taille
41.2mm
Standard automobile
No
Détails du produit
Le transistor MOSFET de puissance à canal N STMicroelectronics fait partie de la série de diodes à récupération rapide MDmesh TM DM6. Par rapport à la génération rapide MDmesh précédente, le DM6 combine une très faible charge de récupération (QRR), un temps de récupération (TRR) et une excellente amélioration du RDS(on) par zone avec l'un des comportements de commutation les plus efficaces disponibles sur le marché.
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 282,72
€ 9,424 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
30
€ 282,72
€ 9,424 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
30
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 30 - 120 | € 9,424 | € 282,72 |
| 150+ | € 8,83 | € 264,91 |
Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
N
Courant continu de Drain maximum Id
68A
Tension Drain Source maximum Vds
650V
Série
ST
Type de Boitier
TO-247
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
0.036Ω
Mode de canal
Épuisement
Tension maximale de source de la grille Vgs
25V
Tension directe Vf
1.6V
Dissipation de puissance maximum Pd
450W
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
125nC
Température d'utilisation maximum
150°C
Longueur
15.9mm
Normes/homologations
No
Largeur
5.1mm
Taille
41.2mm
Standard automobile
No
Détails du produit
Le transistor MOSFET de puissance à canal N STMicroelectronics fait partie de la série de diodes à récupération rapide MDmesh TM DM6. Par rapport à la génération rapide MDmesh précédente, le DM6 combine une très faible charge de récupération (QRR), un temps de récupération (TRR) et une excellente amélioration du RDS(on) par zone avec l'un des comportements de commutation les plus efficaces disponibles sur le marché.