Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
N
Courant continu de Drain maximum Id
55A
Tension Drain Source maximum Vds
30V
Type de Boitier
TO-247
Série
STW
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
4
Résistance Drain Source maximum Rds
45mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
480W
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
118nC
Tension maximale de source de la grille Vgs
20V
Tension directe Vf
1.5V
Température d'utilisation maximum
85°C
Taille
5.1mm
Longueur
40.92mm
Normes/homologations
UL, ECOLAB
Largeur
15.8mm
Standard automobile
AEC-Q101
Détails du produit
Le transistor MOSFET de puissance à canal N haute tension de STMicroelectronics fait partie de la série de diodes à récupération rapide MDmesh DM6. Par rapport à la génération MDmesh rapide précédente, le DM6 combine une très faible charge de récupération (Qrr), un temps de récupération (trr) et une excellente amélioration de la RDS(on) par zone avec l'un des des comportements de commutation efficaces disponibles sur le marché pour les topologies de pont à haut rendement les plus exigeantes et les convertisseurs à décalage de phase ZVS.
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Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 248,51
€ 8,284 Each (In a Tray of 30) (hors TVA)
30
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Taille
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UL, ECOLAB
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Le transistor MOSFET de puissance à canal N haute tension de STMicroelectronics fait partie de la série de diodes à récupération rapide MDmesh DM6. Par rapport à la génération MDmesh rapide précédente, le DM6 combine une très faible charge de récupération (Qrr), un temps de récupération (trr) et une excellente amélioration de la RDS(on) par zone avec l'un des des comportements de commutation efficaces disponibles sur le marché pour les topologies de pont à haut rendement les plus exigeantes et les convertisseurs à décalage de phase ZVS.
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