Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
55A
Tension Drain Source maximum Vds
30V
Type de Boitier
TO-247
Série
STW
Type de support
Through Hole
Nombre de broches
4
Résistance Drain Source maximum Rds
45mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
320W
Température minimum de fonctionnemen
-60°C
Tension directe Vf
1.5V
Charge de porte typique Qg @ Vgs
52.6nC
Température d'utilisation maximum
125°C
Longueur
40.92mm
Hauteur
5.1mm
Normes/homologations
UL
Standard automobile
AEC-Q101
Détails du produit
Le transistor MOSFET de puissance à canal N haute tension de STMicroelectronics fait partie de la série de diodes à récupération rapide MDmesh DM6. Par rapport à la génération MDmesh rapide précédente, le DM6 combine une très faible charge de récupération (Qrr), un temps de récupération (trr) et une excellente amélioration de la RDS(on) par zone avec l'un des des comportements de commutation efficaces disponibles sur le marché pour les topologies de pont à haut rendement les plus exigeantes et les convertisseurs à décalage de phase ZVS.
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Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 128,72
€ 4,291 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
30
€ 128,72
€ 4,291 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
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30
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 30 - 120 | € 4,291 | € 128,72 |
| 150+ | € 4,142 | € 124,27 |
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Type de canal
Type N
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30V
Type de Boitier
TO-247
Série
STW
Type de support
Through Hole
Nombre de broches
4
Résistance Drain Source maximum Rds
45mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
320W
Température minimum de fonctionnemen
-60°C
Tension directe Vf
1.5V
Charge de porte typique Qg @ Vgs
52.6nC
Température d'utilisation maximum
125°C
Longueur
40.92mm
Hauteur
5.1mm
Normes/homologations
UL
Standard automobile
AEC-Q101
Détails du produit
Le transistor MOSFET de puissance à canal N haute tension de STMicroelectronics fait partie de la série de diodes à récupération rapide MDmesh DM6. Par rapport à la génération MDmesh rapide précédente, le DM6 combine une très faible charge de récupération (Qrr), un temps de récupération (trr) et une excellente amélioration de la RDS(on) par zone avec l'un des des comportements de commutation efficaces disponibles sur le marché pour les topologies de pont à haut rendement les plus exigeantes et les convertisseurs à décalage de phase ZVS.
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