MOSFET STMicroelectronics canal Type N 130 A Enrichissement 710 V, 3 broches STY139N65M5

N° de stock RS: 783-3028PMarque: STMicroelectronicsN° de pièce Mfr: STY139N65M5
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Documents techniques

Spécifications

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

130A

Tension Drain Source maximum Vds

710V

Séries

MDmesh M5

Type de montage

Through Hole

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

17mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

625W

Tension maximale de source de la grille Vgs

25 V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

363nC

Tension directe Vf

1.5V

Température de fonctionnement maximum

150°C

Largeur

5.3 mm

Hauteur

20.3mm

Longueur

15.9mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

No

Pays d'origine

China

Détails du produit

Canal N MDmesh™ série M5, STMicroelectronics

Les transistors de puissance MOSFET MDmesh M5 sont optimisés pour les topologies PFC et PWM haute puissance. Les principales caractéristiques incluent une zone de faible perte à l'état passant par silicone combinée à une faible charge de grille. Ils sont conçus pour les applications de commutation difficile éco-énergétiques, compactes et fiables, telles que les convertisseurs d'énergie solaire, les alimentations pour les produits de consommation et les commandes d'éclairage électronique.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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€ 54,13

€ 27,06 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)

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QuantitéPrix unitaire
2 - 4€ 27,06
5+€ 26,39

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3

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25 V

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1.5V

Température de fonctionnement maximum

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Largeur

5.3 mm

Hauteur

20.3mm

Longueur

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No

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