Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
138A
Tension Drain Source maximum Vds
650V
Série
MDmesh
Type de support
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
15mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
414nC
Dissipation de puissance maximum Pd
625W
Tension directe Vf
1.5V
Température d'utilisation maximum
150°C
Longueur
15.9mm
Hauteur
20.3mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 68,19
€ 34,09 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
2
€ 68,19
€ 34,09 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Tube)
2
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 2 - 4 | € 34,09 |
| 5 - 9 | € 33,68 |
| 10+ | € 33,28 |
Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
138A
Tension Drain Source maximum Vds
650V
Série
MDmesh
Type de support
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
15mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
414nC
Dissipation de puissance maximum Pd
625W
Tension directe Vf
1.5V
Température d'utilisation maximum
150°C
Longueur
15.9mm
Hauteur
20.3mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit