Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
138A
Tension Drain Source maximum Vds
650V
Série
MDmesh
Type de support
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
15mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension directe Vf
1.5V
Charge de porte typique Qg @ Vgs
414nC
Dissipation de puissance maximum Pd
625W
Température d'utilisation maximum
125°C
Taille
20.3mm
Normes/homologations
UPC
Longueur
15.9mm
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Idée. Créer. Collaborer
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Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 69,84
€ 34,12 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
2
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Mode de canal
Enrichissement
Tension directe Vf
1.5V
Charge de porte typique Qg @ Vgs
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625W
Température d'utilisation maximum
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