Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Tension Drain Source maximum Vds
60V
Type de Boitier
B-2
Série
RF2L
Type de montage
Surface
Nombre de broche
2
Mode de canal
Enrichissement
Température d'utilisation maximum
200°C
Configuration du transistor
Single
Longueur
20.57mm
Hauteur
3.61mm
Normes/homologations
RoHS
Gain en puissance typique
12.5dB
Standard automobile
No
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Prix sur demande
Each (On a Reel of 120) (hors TVA)
120
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Série
RF2L
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Surface
Nombre de broche
2
Mode de canal
Enrichissement
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Single
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