Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Tension Drain Source maximum Vds
110V
Type de Boitier
B4E
Série
RF5L
Type de montage
En surface
Nombre de broche
5
Résistance Drain Source maximum Rds
1Ω
Détails du produit
Le RF5L08350CB4 de STMicroelectronics est un transistor LDMOS de 400 W 50 V haute performance, adapté en interne, conçu pour de multiples applications dans la bande de fréquences de 0,4 à 1 GHz.
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Prix sur demande
Standard
1
Prix sur demande
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
1
Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Tension Drain Source maximum Vds
110V
Type de Boitier
B4E
Série
RF5L
Type de montage
En surface
Nombre de broche
5
Résistance Drain Source maximum Rds
1Ω
Détails du produit
Le RF5L08350CB4 de STMicroelectronics est un transistor LDMOS de 400 W 50 V haute performance, adapté en interne, conçu pour de multiples applications dans la bande de fréquences de 0,4 à 1 GHz.