Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
13A
Tension Drain Source maximum Vds
650V
Type de Boitier
TO-263
Série
MDmesh M2
Type de montage
En surface
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
280mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
110W
Température d'utilisation minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
21.5nC
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
150°C
Taille
4.6mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 8,32
€ 1,664 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
€ 8,32
€ 1,664 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
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Standard
5
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 1,664 | € 8,32 |
| 50 - 245 | € 1,622 | € 8,11 |
| 250 - 495 | € 1,585 | € 7,92 |
| 500+ | € 1,482 | € 7,41 |
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STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
13A
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650V
Type de Boitier
TO-263
Série
MDmesh M2
Type de montage
En surface
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
280mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
110W
Température d'utilisation minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
21.5nC
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
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4.6mm
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No
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