Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
5.5A
Tension Drain Source maximum Vds
650V
Type de Boitier
TO-252
Série
MDmesh M2
Type de montage
Surface
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
780mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
60W
Température de fonctionnement minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
10nC
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
150°C
Taille
2.4mm
Longueur
6.6mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
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Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 4,93
€ 0,987 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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Surface
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Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
60W
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