Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type P
Courant continu de Drain maximum Id
60A
Tension Drain Source maximum Vds
40V
Type de Boitier
PowerFLAT
Série
STripFET
Type de montage
En surface
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum Rds
19mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
100W
Température d'utilisation minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
34nC
Tension directe Vf
1.1V
Température d'utilisation maximum
175°C
Hauteur
0.95mm
Longueur
6.35mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 11,52
€ 1,152 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
€ 11,52
€ 1,152 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
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Standard
10
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 1,152 | € 11,52 |
| 100 - 490 | € 0,773 | € 7,73 |
| 500 - 990 | € 0,618 | € 6,18 |
| 1000 - 2990 | € 0,611 | € 6,11 |
| 3000+ | € 0,604 | € 6,04 |
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MOSFET
Type de canal
Type P
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PowerFLAT
Série
STripFET
Type de montage
En surface
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum Rds
19mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
100W
Température d'utilisation minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
34nC
Tension directe Vf
1.1V
Température d'utilisation maximum
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