Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type P
Courant continu de Drain maximum Id
3A
Tension Drain Source maximum Vds
60V
Type de Boitier
SOT-223
Série
STripFET
Type de montage
En surface
Nombre de broche
4
Résistance Drain Source maximum Rds
160mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
2.6W
Température d'utilisation minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
6.4nC
Tension directe Vf
-1.1V
Température d'utilisation maximum
175°C
Hauteur
1.8mm
Longueur
6.7mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 37,75
€ 0,50 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
50
€ 37,75
€ 0,50 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
50
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 100 - 490 | € 0,50 | € 5,00 |
| 500 - 990 | € 0,392 | € 3,92 |
| 1000 - 1990 | € 0,358 | € 3,58 |
| 2000+ | € 0,349 | € 3,50 |
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Type de canal
Type P
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Type de Boitier
SOT-223
Série
STripFET
Type de montage
En surface
Nombre de broche
4
Résistance Drain Source maximum Rds
160mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
2.6W
Température d'utilisation minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
6.4nC
Tension directe Vf
-1.1V
Température d'utilisation maximum
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Hauteur
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