Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
Power MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
4A
Tension Drain Source maximum Vds
60V
Type de Boitier
SOIC
Série
STripFET
Type de support
Surface
Nombre de broches
8
Résistance Drain Source maximum Rds
55mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
2W
Température minimum de fonctionnement
150°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
15nC
Température d'utilisation maximum
-55°C
Configuration du transistor
Isolated
Hauteur
1.25mm
Longueur
5mm
Normes/homologations
No
Nombre d'éléments par circuit
2
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 11,83
€ 2,367 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
€ 11,83
€ 2,367 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
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Standard
5
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 5 | € 2,367 | € 11,83 |
| 10 - 20 | € 2,104 | € 10,52 |
| 25 - 95 | € 1,995 | € 9,98 |
| 100 - 495 | € 1,564 | € 7,82 |
| 500+ | € 1,318 | € 6,59 |
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Power MOSFET
Type de canal
Type N
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4A
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60V
Type de Boitier
SOIC
Série
STripFET
Type de support
Surface
Nombre de broches
8
Résistance Drain Source maximum Rds
55mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
2W
Température minimum de fonctionnement
150°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
15nC
Température d'utilisation maximum
-55°C
Configuration du transistor
Isolated
Hauteur
1.25mm
Longueur
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No
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