Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
33A
Tension Drain Source maximum Vds
650V
Type de Boitier
TO-247
Série
MDmesh M5
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
79mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
190W
Température de fonctionnement minimale
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
100nC
Tension directe Vf
1.5V
Température d'utilisation maximum
150°C
Hauteur
20.15mm
Longueur
15.75mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Les transistors de puissance MOSFET MDmesh M5 sont optimisés pour les topologies PFC et PWM haute puissance. Les principales caractéristiques incluent une zone de faible perte à l'état passant par silicone combinée à une faible charge de grille. Ils sont conçus pour les applications de commutation difficile éco-énergétiques, compactes et fiables, telles que les convertisseurs d'énergie solaire, les alimentations pour les produits de consommation et les commandes d'éclairage électronique.
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Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 7,12
€ 7,12 Each (hors TVA)
Standard
1
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MDmesh M5
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Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
190W
Température de fonctionnement minimale
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Charge de porte typique Qg @ Vgs
100nC
Tension directe Vf
1.5V
Température d'utilisation maximum
150°C
Hauteur
20.15mm
Longueur
15.75mm
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No
Standard automobile
No
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Les transistors de puissance MOSFET MDmesh M5 sont optimisés pour les topologies PFC et PWM haute puissance. Les principales caractéristiques incluent une zone de faible perte à l'état passant par silicone combinée à une faible charge de grille. Ils sont conçus pour les applications de commutation difficile éco-énergétiques, compactes et fiables, telles que les convertisseurs d'énergie solaire, les alimentations pour les produits de consommation et les commandes d'éclairage électronique.
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