MOSFET STMicroelectronics canal N, D2PAK (TO-263) 35 A 100 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
35 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de boîtier
D2PAK (TO-263)
Série
STripFET II
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
45 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
115 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.4mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Charge de Grille type @ Vgs
40 nC @ 10 V
Largeur
9.35mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
4.6mm
Détails du produit
Canal N STripFET™ II, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 6,82
€ 1,364 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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Standard
5
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 5 | € 1,364 | € 6,82 |
| 10 - 95 | € 1,149 | € 5,74 |
| 100 - 495 | € 0,895 | € 4,47 |
| 500 - 995 | € 0,763 | € 3,82 |
| 1000+ | € 0,636 | € 3,18 |
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N
Courant continu de Drain maximum
35 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de boîtier
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Série
STripFET II
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
45 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
115 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.4mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Charge de Grille type @ Vgs
40 nC @ 10 V
Largeur
9.35mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
4.6mm
Détails du produit
Canal N STripFET™ II, STMicroelectronics
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