MOSFET STMicroelectronics canal Type N, TO-263 35 A Enrichissement 100 V, 3 broches STB30NF10T4
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
35A
Tension Drain Source maximum Vds
100V
Type de Boitier
TO-263
Séries
STripFET II
Type de montage
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
45mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Dissipation de puissance maximum Pd
115W
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
40nC
Tension directe Vf
1.3V
Température de fonctionnement maximale
175°C
Largeur
9.35 mm
Hauteur
4.6mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N STripFET™ II, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 7,85
€ 1,57 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
€ 7,85
€ 1,57 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
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Standard
5
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 5 | € 1,57 | € 7,85 |
| 10+ | € 1,492 | € 7,46 |
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Séries
STripFET II
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Surface
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3
Résistance Drain Source maximum Rds
45mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Dissipation de puissance maximum Pd
115W
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
40nC
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Température de fonctionnement maximale
175°C
Largeur
9.35 mm
Hauteur
4.6mm
Longueur
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No
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