MOSFET N STMicroelectronics 10.5 A 800 V Enrichissement, 3 broches, TO-247 MDmesh, SuperMESH
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
10.5A
Tension Drain Source maximum Vds
800V
Type de Boitier
TO-247
Série
MDmesh, SuperMESH
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
750mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
87nC
Dissipation de puissance maximum Pd
190W
Température de fonctionnement minimum
-55°C
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
150°C
Longueur
15.75mm
Taille
20.15mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 700 V à 1 200 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 4,47
€ 4,47 Each (hors TVA)
Standard
1
€ 4,47
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Standard
1
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 9 | € 4,47 |
| 10 - 99 | € 3,81 |
| 100 - 499 | € 3,03 |
| 500 - 999 | € 2,71 |
| 1000+ | € 2,28 |
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Série
MDmesh, SuperMESH
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
750mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
87nC
Dissipation de puissance maximum Pd
190W
Température de fonctionnement minimum
-55°C
Tension directe Vf
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Température d'utilisation maximum
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Longueur
15.75mm
Taille
20.15mm
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No
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